氮化硅中杂质阴离子的分析

电子级的氮化硅薄膜是通过化学气相沉淀或者等离子体增强化学气相沉淀技术制造，氟和氯是氮化硅的卤素杂质，会对相关接触部件造成严重腐蚀，从而影响构件的机械强度和密封环的密封效果。准确测定氮化硅氟、氯元素的含量对于发展高纯氮化硅粉体有着重要意义。

参考方法：GB/T 42276-2022《氮化硅粉体中氟离子和氯离子含量的测定 离子色谱法》

前处理方法：称取适量样品（准确记录质量，精确到0.0001 g）于样品舟中，经燃烧离子色谱进样分析。同时做样品舟空烧对照组分析。燃烧程序如下：

仪器配置：

应用案例：

分析结论：

本方案参考标准《GB/T 42276-2022氮化硅粉体中氟离子和氯离子含量的测定 离子色谱法》进行样品测试，使用盛瀚在线燃烧设备SH-CIC-3200，将氮化硅中氟离子和氯离子提取到吸收液中，采用抑制电导检测，在1.0 mL/min流速下进行洗脱，从测试结果可以看出待测离子峰型良好,目标峰的响应信号明显，目标峰的分离度及检出限均满足标准要求，采用该方案可以对氮化硅中氟离子和氯离子进行准确的定性定量分析。