氮化硅中氟、氯的测定
电子级的氮化硅薄膜是通过化学气相沉淀或者等离子体增强化学气相沉淀技术制造，而氮化硅中阴离子杂质尤其是卤素会对相关接触部件造成严重腐蚀，所以对氮化硅中阴离子杂质的准确测定具有重要意义。
分析柱：SH-G-1+SH-AC-11
流动相：12 mM KOH（EG）
流速：1.0 mL/min
柱温：35℃
抑制器：SHY-A-6
进样体积：25 μL
前处理：称取适量样品（准确记录质量，精确到 0.0001 g）于样品舟中，经燃烧离子色谱进样分析。同时做样品舟空烧对照组分析。
色谱测量数据
氮化硅中氟、氯的谱图
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