四甲基氢氧化铵中主成分及阴离子杂质的分析

方案介绍

四甲基氢氧化铵中主成分及阴离子杂质的分析

光刻胶有正性胶和负性胶两大类，正性胶的显影液一般为碱性水溶液，KOH和NaOH因为会带来可动离子污染，所以在集成电路制造中一般不用。最普通的正胶显影液是四甲基氢氧化铵（TMAH）。在I线光刻胶曝光中会生成羧酸，TMAH显影液中的碱与酸中和使曝光的光刻胶溶解于显影液，而未曝光的光刻胶没有影响。

随着半导体行业的快速发展，四甲基氢氧化铵的需求量大大增加。随着芯片线宽不断缩小，对光刻工艺中用到的化学品的纯度要求也越来越高，国际半导体设备和材料组织对电子级四甲基氢氧化铵作出了限量要求。离子色谱法作为最常用的离子分析方法，因其分离效率高、专属性好，可以同时分析多种元素离子，被广泛应用于离子含量的检测。

前处理方法：样品稀释1000倍后过0.22 μm滤膜后上机分析。

仪器配置：

应用案例：

分析结论：

本方案根据样品性质进行样品测试，使用盛瀚离子色谱CIC-D260，样品经过纯水提取，将目标离子提取到溶液中，采用抑制电导检测，在1.0 mL/min流速下进行洗脱，从测试结果可以看出待测离子峰型良好,目标峰的响应信号明显，目标峰的分离度及检出限均满足标准要求，采用该方案可以对四甲基氢氧化铵中主成分及杂质阴离子进行准确的定性定量分析。

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